NPN與PNP晶體管的結(jié)構(gòu)性能對比
NPN和PNP晶體管之間的主要區(qū)別之一是，在NPN晶體管中，當為基極提供正電源時，電流在集電極到發(fā)射極之間流動，而在PNP晶體管中，當負電源提供時，電荷載流子從發(fā)射極流向集電極被給予基地。通過考慮各種其他因素，NPN和PNP晶體管在下面的比較表中進行了區(qū)分。
NPN和PNP都是雙極結(jié)型晶體管。它是電流控制器件，主要用于信號的開關和放大。大多數(shù)情況下，電路中使用NPN晶體管，因為在NPN晶體管中，傳導電流主要來自電子，而在PNP晶體管中，傳導電流是因為空穴。由于電子更易移動，NPN具有高傳導性。
字母PNP和NPN表示結(jié)晶體管的發(fā)射極、集電極和基極所需的電壓。NPN和PNP晶體管由不同的材料制成，因此它們中產(chǎn)生的電流也不同。有時，當施加在發(fā)射極上的電壓時，電子會穿過基極結(jié)并到達集電極區(qū)。發(fā)生這種情況是因為NPN和PNP晶體管的基極非常薄且摻雜輕。
NPN與PNP晶體管的結(jié)構(gòu)性能對比：
（1）PNP晶體管的定義
PNP晶體管有兩塊p型材料和一塊n型材料。它具有發(fā)射極、基極和集電極三個端子。PNP晶體管的發(fā)射極和集電極由p型材料組成，基極由n型材料組成。
npn-晶體管PNP的發(fā)射極-基極結(jié)連接為正向偏壓，而集電極-基極結(jié)連接為反向偏壓。發(fā)射極-基極結(jié)將多數(shù)電荷載流子推向基極，從而建立發(fā)射極電流。p型材料中的空穴與n型材料結(jié)合從而構(gòu)成基極電流。剩余的空穴穿過負偏壓的集電極-基極區(qū)域，并由集電極收集，由此產(chǎn)生集電極電流。因此，完整的發(fā)射極電流流過集電極電路。
發(fā)射極電流=集電極電流+基極電流
（2）NPN晶體管的定義
NPN晶體管由兩個n型半導體材料組成，它們被一層薄薄的p型材料隔開。NPN晶體管的集電極是最厚的區(qū)域，基極是最薄的區(qū)域。晶體管的發(fā)射極-基極區(qū)處于正向偏置，集電極基極區(qū)以反向偏置連接。與反向偏置相比，反向偏置的電壓要小得多。
pnp-晶體管由于大量電子到達基極，發(fā)射極-基極結(jié)處于正向偏置。這會產(chǎn)生發(fā)射極電流?；鶇^(qū)中的電子與空穴結(jié)合。但基極很薄且摻雜輕，因此只有小空穴與電子結(jié)合而構(gòu)成基極電流。剩余的電子到達集電極基極區(qū)并產(chǎn)生集電極電流。整個發(fā)射極電流流經(jīng)集電極電路。
發(fā)射極電流=集電極電流+基極電流
