PNP晶體管工作狀態(tài)模式和PNP晶體管的優(yōu)點
PNP晶體管工作與電源電壓的電路連接。由于PNP晶體管，這里的基極端子相對于發(fā)射極具有負偏壓，而發(fā)射極端子相對于基極和集電極都具有正偏壓。
與NPN晶體管相比，這里的極性和電流方向是相反的。如果晶體管連接到如上所示的所有電壓源，則基極電流流過晶體管，但此處的基極電壓需要相對于發(fā)射極更負以操作晶體管。在這里，基極-發(fā)射極結(jié)充當二極管?；鶚O中的少量電流控制著大電流通過發(fā)射極流向集電極區(qū)。Si的基極電壓一般為0.7V，鍺器件的基極電壓為0.3V。
一、PNP晶體管的工作狀態(tài)模式類型：
1、晶體管的曲線和工作模式：
當用于開關(guān)應(yīng)用時，工作模式可以根據(jù)晶體管內(nèi)部二極管的偏置分為四類。截止區(qū)、有源區(qū)、飽和區(qū)和擊穿區(qū)是不同的操作模式。
2、主動模式：
在這種操作模式下，晶體管經(jīng)常用作電流放大器。晶體管的兩個二極管以相反的方向偏置，這意味著一個正向偏置，另一個反向偏置。在這種模式下，電流從發(fā)射極流向集電極。
3、截止模式：
在這種操作模式下，晶體管中的兩個二極管都反向偏置。據(jù)說晶體管處于關(guān)斷狀態(tài)，因為在這種模式下沒有任何方向的電流流動。
4、飽和模式：
在這種操作模式下，晶體管中的兩個二極管都被正向偏置。在這種模式下，電流可以自由地從集電極流向發(fā)射極。當基極-發(fā)射極結(jié)上的電壓很高時，就會發(fā)生這種情況。ON狀態(tài)稱為此模式。
5、故障模式：
當集電極電壓超過設(shè)定限值時，集電極二極管被破壞，集電極電流飆升至危險水平。結(jié)果，擊穿區(qū)中的晶體管不應(yīng)工作。例如，在2N3904晶體管中，如果集電極電壓超過40V，擊穿區(qū)立即開始，導(dǎo)致晶體管電路損壞。
二、PNP晶體管的優(yōu)點：
1.為了提供電流，使用PNP晶體管。
2.因為它生成一個以負電源軌為參考的信號，所以它簡化了電路設(shè)計。
3.與NPN晶體管相比，它們產(chǎn)生的噪聲更少。
4.它比其他晶體管小，可用于集成電路，就像其他晶體管一樣。
